不同濃度的Nd摻雜對氧化鋅的光學性質的影響
時間：2018-12-08 10:27:16瀏覽量：
氧化鋅是一種寬禁帶直接帶隙半導體，具有電子漂移飽和度高、介電常數小、導電性能好等特點。近年來，由于稀土元素具有獨特的光學性質，在實驗上和理論上對稀土摻雜ZnO的光學性質的研究引起人們的廣泛興趣。由于氧化鋅是寬禁帶半導體，成本低，制備工藝簡單。因此，稀土元素摻雜氧化鋅在制備光電器件方面具有廣闊的應用前景。在理論上，Eu摻雜ZnO具有優質的物理性質和化學性質。在實驗上，Eu摻雜ZnO已經被用于平板電視等顯示設備。
通過理論研究發現，不同濃度的稀土元素摻雜氧化鋅可以http://www.trioleatherart.com使得氧化鋅光電性能產生相當顯著的變化。然而，理論上對不同濃度Nd摻雜對氧化鋅的光學性質的影響研究甚少。在本文中，基于密度泛函理論通過第一性原理計算主要研究了稀土元素Nd摻雜ZnO的光學性質的研究。首先比較了其中一種摻雜濃度和純凈ZnO體系的介電函數、吸收系數和反射系數；接著分析了不同摻雜濃度體系的介電函數；最后，計算了不同摻雜濃度體系的吸收系數。